Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB

Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB

Differenze

  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.0 left arrow 10.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 17000
    Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    30 left arrow 38
    Intorno -27% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    15.6 left arrow 15.5
    Valore medio nei test

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 8GB 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    38 left arrow 30
  • Velocità di lettura, GB/s
    15.5 left arrow 15.6
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.0 left arrow 10.4
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    25600 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2283 left arrow 2688
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti