RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
38
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.9
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.6
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
28
Velocità di lettura, GB/s
15.5
16.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
14.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
25600
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3316
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FJ 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Apacer Technology 78.CAGRN.40C0B 8GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Kingston 9905783-025.A01G 16GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingmax Semiconductor FSFF65F-C8KL9 4GB
ATP Electronics Inc. X4C16QE8BNRCME-E-LI1 16GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNT 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6MJR8N-VK 32GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZR 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link