RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
20
38
Intorno -90% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
19.2
15.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.3
12.0
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
20
Velocità di lettura, GB/s
15.5
19.2
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
15.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
3429
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston 99U5700-014.A00G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Smart Modular SF564128CJ8N6NNSEG 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1A2 4GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FD 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link