RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Confronto
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB vs Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Punteggio complessivo
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
38
72
Intorno 47% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.5
14.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.0
8.5
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
25600
17000
Intorno 1.51% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Segnala un bug
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
38
72
Velocità di lettura, GB/s
15.5
14.6
Velocità di scrittura, GB/s
12.0
8.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
25600
17000
Other
Descrizione
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Temporizzazioni / Velocità di clock
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2283
1918
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Kingston LV32D4U2S8ME-16X 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZRN 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905713-035.A00G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-1600C11-4GNS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GR7AFR8C
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Mushkin MR[A/B]4U280HHHH8G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G266681 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMD32GX4M4E4000C19 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FJ 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link