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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
45
Intorno -55% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.8
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
29
Velocità di lettura, GB/s
11.9
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
14.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
3637
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Corsair CMW32GX4M4C3000C15 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 9905702-029.A00G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Kingston KMKYF9-MIB 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
Samsung M378A1G43EB1-CRC 8GB
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