RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
33
45
Intorno -36% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.2
11.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
8.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
33
Velocità di lettura, GB/s
11.9
15.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.1
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2077
2774
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Corsair CMU16GX4M2D3200C16 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMH32GX4M2D3600C18 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C16 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1A1 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMH16GX4M2E3200C16 8GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160U 16GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link