RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Confronto
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB vs Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
32
46
Intorno -44% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.5
12.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
7.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
46
32
Velocità di lettura, GB/s
12.2
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.9
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2072
2307
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73BH0-YK0 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B1G73EB0-YK0 8GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18---------- 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRB 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BC1S 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD1 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GRS 16GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Kingston KHX3466C19D4/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6MFR8N
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6J1 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston ACR26D4U9D8MH-16 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUF0B 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link