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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Confronto
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Motivi da considerare
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
47
Intorno -38% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
11.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.4
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
34
Velocità di lettura, GB/s
11.8
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2061
3055
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FE 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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