Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB

Punteggio complessivo
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Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    47 left arrow 59
    Intorno 20% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17.2 left arrow 11.8
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.7 left arrow 8.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    25600 left arrow 12800
    Intorno 2 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shenzhen Jinge Information Co. Ltd. BRBP1G48G16C2400 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    47 left arrow 59
  • Velocità di lettura, GB/s
    11.8 left arrow 17.2
  • Velocità di scrittura, GB/s
    8.0 left arrow 9.7
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    12800 left arrow 25600
Other
  • Descrizione
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2061 left arrow 2181
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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