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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
45
Intorno -50% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.7
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
30
Velocità di lettura, GB/s
12.0
16.7
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
3106
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 2OZ 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H2666G 16GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Advantech Co Ltd SQR-SD4N8G2K6SNBCB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6D1 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFX 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3E2 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
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