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Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
18
45
Intorno -150% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.9
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.6
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
18
Velocità di lettura, GB/s
12.0
20.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
16.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
3601
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
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Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R002D408GX2-2666C19D 8GB
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