RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Confronto
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
45
Intorno -55% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.8
12
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
11.0
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
29
Velocità di lettura, GB/s
12.0
13.8
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1939
2690
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C15S4/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N-TF 8GB Confronto tra le RAM
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 36JSF2G72PZ-1G9E1 16GB
Samsung M393B2G70QH0-CMA 16GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
INTENSO 5641152 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G32S8KSRGB16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-D4-3866 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
A-DATA Technology DDR4 3600 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston ACR24D4U7S8MB-8 8GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FR 16GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMR16GX4M2C3000C16 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
SK Hynix HMA41GR7BJR4N-UH 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
SK Hynix HMA82GU6AFR8N-TF 16GB
Corsair VS2GB1333D4 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKWC 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-2666 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4RL.M16FE 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link