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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.3
5.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
6.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
42
45
Intorno -7% latenza inferiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
45
42
Velocità di lettura, GB/s
12.3
5.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
6.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
12800
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
1072
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB Confronto tra le RAM
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FAD1 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6AFR8N
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