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Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
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Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
45
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.1
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.7
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6CJR8N-VK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
26
Velocità di lettura, GB/s
12.3
18.1
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
13.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3061
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Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A2666C18 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Kingston 9965662-019.A00G 32GB
Crucial Technology CT51264BF160BJ.M8F 4GB
Ramsta Ramsta-2400Mhz-8G 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
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