RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
45
Intorno -73% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.2
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
15.4
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
26
Velocità di lettura, GB/s
12.3
17.2
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
15.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
3617
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
Panram International Corporation D4N2666PS-16G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NC8T1-BCIS 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48HA-24RF 8GB
SK Hynix HMT451S6AFR8A-PB 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Elpida EBJ40UG8BBU0-GN-F 4GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Samsung M393B1K70QB0-YK0 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1527WT.001 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FB 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/4GX 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link