RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Confronto
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB vs SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
43
45
Intorno -5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.3
8.0
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
45
43
Velocità di lettura, GB/s
12.3
14.0
Velocità di scrittura, GB/s
8.0
12.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1992
2867
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160B.C16F 4GB
Crucial Technology CT51264BF160B.D16F 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS6266.M4FB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Samsung SF4641G8CKHI6DFSDS 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT8G4SFS8266.C8FN 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Kingston 99U5429-007.A00LF 2GB
SK Hynix GKE160SO102408-2400 16GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
G Skill Intl F4-4400C19-16GTZR 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston 9965662-012.A01G 16GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Transcend Information JM2666HLB-8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link