RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Confronto
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB vs G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
48
Intorno -85% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.9
8.9
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.6
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
12800
10600
Intorno 1.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR3
Latenza in PassMark, ns
48
26
Velocità di lettura, GB/s
8.9
12.9
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
8.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
12800
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1420
2128
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HMT351S6EFR8A-PB 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Boya Microelectronics Inc. AM52SE24G64AP-SQ 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3000 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMD16GX4M2K4133C19 8GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-V-V 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6AFR8N-VK 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.M16FJ 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CM4X4GF2400C16N2 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.D16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GIS 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK64GX4M2C3200C16 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link