RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
47
Intorno -104% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.4
9.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
5.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
23
Velocità di lettura, GB/s
9.3
14.4
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
2236
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Carry Technology Co. Ltd. 4DCC3IOGE-MATP 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHYXPX-HYJ 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMW32GX4M2Z3600C18 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Kingston 9905663-005.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GVK 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Teikon TMA851S6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Corsair CM4X16GC3600C18K2D 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KF3200C20S4/8G 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FBD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Kingston HX316C10F/8 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE400SO51216-2400 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link