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Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Confronto
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB vs Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
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Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.9
5.6
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
47
Intorno -96% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.6
9.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
47
24
Velocità di lettura, GB/s
9.3
12.6
Velocità di scrittura, GB/s
5.9
5.6
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1413
2130
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Confronto tra le RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2133 16GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Corsair CM5S16GM4800A40K2 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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