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Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
35
40
Intorno -14% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.8
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.2
8.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
35
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.8
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
12.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
3052
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
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Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB Confronto tra le RAM
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology BL8G30C15U4WL.M8FE1 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
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Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Apacer Technology D12.2324CS.001 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E2 32GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
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