RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Confronto
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
6.7
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
40
Intorno -74% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.6
12.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
40
23
Velocità di lettura, GB/s
12.3
13.6
Velocità di scrittura, GB/s
8.9
6.7
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1789
2339
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N-TF 16GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX3333C17D4/4GX 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FE 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Kingston K9CXF2-MIE 8GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FB 8GB
Mushkin 991988 (996988) 4GB
Corsair CMT128GX4M4C3200C16 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Samsung M393A5143DB0-CRC 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston ACR26D4S9S1KA-4 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.AUC0B 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3200 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
V-GEN D4M8GL26A8TS6 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link