RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
34
Intorno 12% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.2
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.4
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
8500
Intorno 2.51 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
34
Velocità di lettura, GB/s
10.6
16.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
12.4
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
21300
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3135
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZR 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FBD 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Transcend Information TS1GLH64V4H 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C18 Series 16GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Gloway International Co. Ltd. YCT4S2666D19081C 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKO 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Samsung M3 78T6553EZS-CF7 512MB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.M4FE 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kllisre 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link