RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
30
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
20.2
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.1
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
29
Velocità di lettura, GB/s
10.6
20.2
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
13.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3241
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3200 16G
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Teikon TMA81GU6AFR8N-UHSC 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix GKE800SO102408-2400 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6E3 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4R.16FE 16GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Essencore Limited KD4AGU88C-26N1900 16GB
Kingston KF548C38-16 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CMSX4GX4M1A2400C16 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link