RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
29
30
Intorno -3% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.5
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
29
Velocità di lettura, GB/s
10.6
18.0
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
16.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
3779
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5471-052.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZR 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Samsung M471A5143DB0-CPB 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMW64GX4M8A2666C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FARG 4GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]191[F/T] 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Corsair CMD32GX4M2B3466C16 16GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTRG 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link