RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
24
30
Intorno -25% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.5
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
17.2
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
8500
Intorno 2 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
24
Velocità di lettura, GB/s
10.6
18.5
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
17.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
17000
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
4152
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS4G4S240FSD.8FBD 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
DSL Memory D4SS12081SH21A-A 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor GLMH23F-18MCIA------ 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416E82-3200E 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905622-025.A00G 4GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 99U5713-002.A00G 4GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.M16FJ 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTZR 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.M8FB 4GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link