RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Confronto
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Punteggio complessivo
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Punteggio complessivo
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
67
Intorno 55% latenza inferiore
Motivi da considerare
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
10.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
6.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
8500
Intorno 2.26 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
30
67
Velocità di lettura, GB/s
10.6
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
6.8
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
8500
19200
Other
Descrizione
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1479
2042
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17161C 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-004.A00G 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-4400C17-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kingston KHX3000C16D4/16GX 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905625-098.A00G 16GB
Nanya Technology NT512T64UH8B0FN-3C 512MB
Corsair CMD16GX4M2B3733C17 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link