RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Confronto
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Punteggio complessivo
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
37
Intorno 41% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.9
17.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.8
12.7
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
22
37
Velocità di lettura, GB/s
17.7
17.9
Velocità di scrittura, GB/s
12.7
12.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3075
2898
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Confronto tra le RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB Confronto tra le RAM
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZSK 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-DA---------- 4GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
V-GEN D4H4GL30A8TS5 4GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK4GX4M1A2400C14 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BD7S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZKY 16GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Kingston KHX2400C1C14/16G 16GB
Ramaxel Technology RMN1740HC48D8F667A 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GTRS 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CTD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Kingston KHYXPX-MID 8GB
Kingston 99U5458-002.A00LF 2GB
Kingston KHX2666C13D4/8GX 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2800 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link