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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Confronto
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Punteggio complessivo
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
22
35
Intorno 37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
17.7
13.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
12.7
10.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
17000
Intorno 1.25% larghezza di banda superiore
Motivi da considerare
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
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Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR4
DDR4
Latenza in PassMark, ns
22
35
Velocità di lettura, GB/s
17.7
13.5
Velocità di scrittura, GB/s
12.7
10.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
21300
17000
Other
Descrizione
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
3075
2155
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Confronto tra le RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB Confronto tra le RAM
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Gloway International (HK) STK4U2400D17041C 4GB
Corsair CMD16GX3M2A2133C9 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FH 8GB
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Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBR1 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160T 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FAR1 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GU6MFR8N-TF 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE1 8GB
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Kingston 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
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