Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB vs Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Punteggio complessivo
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Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB

Punteggio complessivo
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Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    22 left arrow 35
    Intorno 37% latenza inferiore
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    17.7 left arrow 13.5
    Valore medio nei test
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    12.7 left arrow 10.3
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 17000
    Intorno 1.25% larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Samsung M471A5143EB0-CPB 4GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR4 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    22 left arrow 35
  • Velocità di lettura, GB/s
    17.7 left arrow 13.5
  • Velocità di scrittura, GB/s
    12.7 left arrow 10.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    21300 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    3075 left arrow 2155
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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