SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB vs Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Punteggio complessivo
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SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Punteggio complessivo
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Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    2 left arrow 10.7
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    49 left arrow 77
    Intorno -57% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.6 left arrow 1,884.0
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    21300 left arrow 6400
    Intorno 3.33 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    77 left arrow 49
  • Velocità di lettura, GB/s
    2,936.9 left arrow 10.7
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,884.0 left arrow 8.6
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 21300
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    564 left arrow 2504
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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