RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Confronto
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB vs Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Punteggio complessivo
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
7.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
51
Intorno -122% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
14.7
9.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
12800
Intorno 1.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
51
23
Velocità di lettura, GB/s
9.8
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
7.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
17000
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2182
2476
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL8G26C16U4B.8FE 8GB
Corsair CMD16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Nanya Technology M2X4G64CB8HG9N-DG 4GB
Kingston 9905702-204.A00G 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung M393A1G43DB1-CRC 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]200[F/T] 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16/16G 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905702-082.A00G 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFS8266.C8FE 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 9905711-007.A00G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
ISD Technology Limited IM44GU48A30-GIIHM 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2C3600C20 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Avant Technology J642GU42J9266N2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link