RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Confronto
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB vs Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
41
76
Intorno 46% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
11.6
10.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.3
6.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Segnala un bug
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
10600
Intorno 2.01 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
76
Velocità di lettura, GB/s
11.6
10.3
Velocità di scrittura, GB/s
7.3
6.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
21300
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1438
1260
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Confronto tra le RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Super Talent F21UB8GS 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C16 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Kingston 9905599-026.A00G 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Samsung M471A1K43CB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston K821PJ-MIB 16GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-2G6B4 32GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Corsair CM4X8GE3000C15K4 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMR16GX4M2E4266C19 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link