RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Confronto
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB vs G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
37
Intorno -42% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
18.9
9.8
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.9
7.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
14900
Intorno 1.14 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
37
26
Velocità di lettura, GB/s
9.8
18.9
Velocità di scrittura, GB/s
7.2
13.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
14900
17000
Other
Descrizione
PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-10-9-28 / 1866 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
2065
3437
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB Confronto tra le RAM
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR4A-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSK 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-3000 4GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBR2 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Corsair CM3B4G2C1600L9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK16GX4M2G4000C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C16 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Nanya Technology M2S8G64CC8HB5N-DI 8GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3B1 32GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Ramaxel Technology RMUA5200MR78HAF-3200 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HMA851U6AFR6N-UH 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link