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SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Confronto
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB vs Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Punteggio complessivo
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
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Motivi da considerare
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
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Motivi da considerare
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
49
Intorno -75% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
13.2
8.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
9.1
5.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
10600
Intorno 1.6 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
49
28
Velocità di lettura, GB/s
8.2
13.2
Velocità di scrittura, GB/s
5.2
9.1
Larghezza di banda della memoria, mbps
10600
17000
Other
Descrizione
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1223
1989
SK Hynix HMT351S6BFR8C-H9 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3200 C16 8GB 8GB
Samsung M471A5644EB0-CPB 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESB.M16FE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology AO2P26KC8T1-BXGSHC 8GB
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