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SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Confronto
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Punteggio complessivo
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
70
Intorno 60% latenza inferiore
Motivi da considerare
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15.3
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.8
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
70
Velocità di lettura, GB/s
12.6
15.3
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
8.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1822
1971
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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