RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Confronto
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB vs Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
28
34
Intorno 18% latenza inferiore
Motivi da considerare
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
12.7
12.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.9
8.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
28
34
Velocità di lettura, GB/s
12.6
12.7
Velocità di scrittura, GB/s
8.2
8.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1822
1718
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology CT51264BF160BJ.C8F 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.M8FB 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Neo Forza NMUD480E82-2666 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3200 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-VK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Kingston 99P5471-016.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CM4X16GE2133C15S2 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link