RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Confronto
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB vs G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
34
41
Intorno -21% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
16.5
10.1
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.5
7.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
12800
Intorno 1.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
41
34
Velocità di lettura, GB/s
10.1
16.5
Velocità di scrittura, GB/s
7.1
13.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
21300
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 11 13 15 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1484
3199
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Confronto tra le RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P26KCST2-BABS 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMWX16GC3000C15W4 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2E1 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Essencore Limited KD4AGS88A-26N1600 16GB
Smart Modular SMS4WEC3C0K0446SCG 4GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
INTENSO 5641152 4GB
A-DATA Technology DQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TF 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Samsung M393A1K43BB1-CTD 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Apacer Technology 78.C2GFL.C720B 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link