RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Confronto
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB vs Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Segnala un bug
Motivi da considerare
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
44
Intorno -63% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
15
12.3
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
10.9
7.8
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
12800
Intorno 1.5 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR3
DDR4
Latenza in PassMark, ns
44
27
Velocità di lettura, GB/s
12.3
15.0
Velocità di scrittura, GB/s
7.8
10.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
12800
19200
Other
Descrizione
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
1977
2288
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB Confronto tra le RAM
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Samsung M378A2K43CB1-CTD 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA851S6AFR6N-UH 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FB 4GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston KHX2666C15D4/8G 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.M16FRS 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Samsung M393A2K43BB1-CRCA1 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0840180BCW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GIS 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung SH5724G4UNC26P2-SC 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C15 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link