SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB vs Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Punteggio complessivo
star star star star star
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB

Differenze

  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    42 left arrow 64
    Intorno 34% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    9.0 left arrow 8.3
    Valore medio nei test
  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    16.8 left arrow 12.8
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    19200 left arrow 14900
    Intorno 1.29 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HMT451U7BFR8C-RD 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL32A8TL 8GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    42 left arrow 64
  • Velocità di lettura, GB/s
    12.8 left arrow 16.8
  • Velocità di scrittura, GB/s
    9.0 left arrow 8.3
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    14900 left arrow 19200
Other
  • Descrizione
    PC3-14900, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11 13 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    9-10-9-28 / 1866 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    2269 left arrow 2052
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti