RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB vs Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Punteggio complessivo
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
2
14.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
66
Intorno -154% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.2
2,978.2
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
66
26
Velocità di lettura, GB/s
2,929.1
14.3
Velocità di scrittura, GB/s
2,978.2
8.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
511
2633
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB Confronto tra le RAM
OCZ OCZ2SOE800URB1G 1GB
Kingston 9905295-025.B00LF 1GB
Solarflare Communications CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GIS 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRG 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-2666A 8GB
Corsair VS1GB800D2 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FAR 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3200 C18 Series 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston 9965596-023.B01G 8GB
Corsair CM3B8G2C1600L9L 8GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Samsung M471A1K1KBB1-CRC 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link