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SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Confronto
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Punteggio complessivo
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
15.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
59
Intorno -157% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
8.0
2,076.1
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
59
23
Velocità di lettura, GB/s
4,723.5
15.5
Velocità di scrittura, GB/s
2,076.1
8.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
741
2414
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
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Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Samsung M3 78T6553CZ3-CD5 512MB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
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