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SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Confronto
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Punteggio complessivo
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Punteggio complessivo
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
5
20.6
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,381.6
16.2
Valore medio nei test
Motivi da considerare
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
60
Intorno -161% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
6400
Intorno 2.66 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
60
23
Velocità di lettura, GB/s
5,082.2
20.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,381.6
16.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
17000
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
925
3819
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB Confronto tra le RAM
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M4Z2933C16 8GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSW 8GB
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