RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
20.8
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
17
63
Intorno -271% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
16.8
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
17
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
20.8
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
16.8
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
3623
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Hyundai Inc AR36C18S8K2HU416R 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Corsair CM4X16GE2666Z16K4 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1B1 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Essencore Limited IM48GU48A32-GIISMZ 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R022D408GX2-3200C16A 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Transcend Information JM3200HLE-32G 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Kingston 9905711-002.A00G 4GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Kingston 99U5702-020.A00G 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z2933C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9965589-013.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link