RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Confronto
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB vs Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Punteggio complessivo
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Punteggio complessivo
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
63
66
Intorno 5% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.9
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
7.9
1,447.3
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
63
66
Velocità di lettura, GB/s
3,231.0
15.9
Velocità di scrittura, GB/s
1,447.3
7.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
478
1877
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB Confronto tra le RAM
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2133C13 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U3000E16081C 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FADP 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Kingston 9905734-073.A00G 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
AMD R744G2606U1S 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3A1 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Corsair CMV32GX4M1A2666C18 32GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GALAX OC LAB 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GFXR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZRF 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link