RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Confronto
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB vs Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
12
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
26
68
Intorno -162% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
5.5
1,944.9
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
5300
Intorno 3.62 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
68
26
Velocità di lettura, GB/s
3,973.0
12.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,944.9
5.5
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
19200
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
673
1925
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB Confronto tra le RAM
Kingston KHX1600C9D3/2G 2GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Samsung M391A1K43BB1-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation R748G2133U2S 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA451R7MFR8N-TFTD 4GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Corsair CMN16GX4M2Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK16GX4M2E3200C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZRX 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
SK Hynix HMAA2GU6CJR8N-XN 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905598-028.A00G 8GB
Kingston 99U5474-026.A00LF 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W4 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Corsair CMT64GX4M8C3200C16 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link