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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
19.5
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
39
50
Intorno -28% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
14.9
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
6400
Intorno 3.33 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
39
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
19.5
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
14.9
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
21300
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
3825
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9965662-018.A00G 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Corsair CMK256GX4M8A2400C16 32GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Corsair CMD32GX4M4C3466C16W 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
EVGA 8GX-D4-2800-MR 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Kingston KHX2400C14S4/4G 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVRB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTRG 16GB
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