RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Confronto
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Punteggio complessivo
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
17
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
23
50
Intorno -117% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
13.2
1,457.4
Valore medio nei test
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
50
23
Velocità di lettura, GB/s
3,757.3
17.0
Velocità di scrittura, GB/s
1,457.4
13.2
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
557
2935
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB Confronto tra le RAM
Kingston 99P5316-014.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB Confronto tra le RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4S8GL30A8TS5 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Kingmax Semiconductor GLLF62F-C6---------- 4GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kingston 9965669-027.A00G 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
AMD R748G2400U2S-UO 8GB
Kingmax Semiconductor FLFF65F-C8KM9 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
SK Hynix HMA82GR8AMR4N-TF 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston 9905734-059.A00G 16GB
Kingston KTC1G-UDIMM 1GB
I’M Intelligent Memory Ltd. PF4OUN-2400CH0-08G-A 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GTZ 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZKW 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVS 8GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link