takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB vs Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Punteggio complessivo
star star star star star
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB

Punteggio complessivo
star star star star star
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB

Differenze

  • Velocità di lettura più elevata, GB/s
    3 left arrow 10
    Valore medio nei test
  • Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
    45 left arrow 50
    Intorno -11% latenza inferiore
  • Velocità di scrittura più elevata, GB/s
    8.1 left arrow 1,457.4
    Valore medio nei test
  • Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
    17000 left arrow 6400
    Intorno 2.66 larghezza di banda superiore

Specifiche tecniche

Elenco completo delle specifiche tecniche
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Samsung M386A2G40DB0-CPB 16GB
Caratteristiche principali
  • Tipo di memoria
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenza in PassMark, ns
    50 left arrow 45
  • Velocità di lettura, GB/s
    3,757.3 left arrow 10.0
  • Velocità di scrittura, GB/s
    1,457.4 left arrow 8.1
  • Larghezza di banda della memoria, mbps
    6400 left arrow 17000
Other
  • Descrizione
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
  • Temporizzazioni / Velocità di clock
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Classifica PassMark (più sono, meglio è)
    557 left arrow 2414
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Ultimi confronti