RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.2
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
11.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
27
87
Intorno -222% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
17000
5300
Intorno 3.21 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
27
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
14.2
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
11.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
17000
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2596
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMK32GX4M2A2400C14 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Samsung M395T5160QZ4-CE66 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3000C16B 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK16GX4M4B3300C16 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp CM4X8GF2666C1XMP 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
SK Hynix HMA41GS6AFR8N-TF 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBR 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Samsung M378A2K43DB1-CVF 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link