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TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
15.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
13.3
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
31
87
Intorno -181% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
31
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
15.7
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
13.3
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
3318
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632161DCW 16GB Confronto tra le RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Samsung M471A2K43CBCBCRC 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6AFR8N
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTZN 16GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.001 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
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