RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Confronto
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Punteggio complessivo
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Punteggio complessivo
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
3
14.5
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
870.4
9.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
30
87
Intorno -190% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
21300
5300
Intorno 4.02 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
87
30
Velocità di lettura, GB/s
3,155.6
14.5
Velocità di scrittura, GB/s
870.4
9.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
5300
21300
Other
Descrizione
PC2-5300, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 667 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
417
2374
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB Confronto tra le RAM
takeMS International AG TMS1GB264D083805EV 1GB
Ramaxel Technology RML1520AG38D6F-667 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6CJR8N-VK 16GB Confronto tra le RAM
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kllisre M471A1K43CB1-CTD 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology GD2.1542WS.001 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston 9965698-001.A00G 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.M8FE1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Corsair CMK64GX4M4D3600C18 16GB
G Skill Intl F3-10666CL9-2GBRL 2GB
Samsung M378B1G73AH0-CH9 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Transcend Information JM2666HLB-16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Corsair CMK64GX4M4B3600C18 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GFX 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FH1 16GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link